ЕНЦИКЛОПЕДІЯ
Київського національного університету імені Тараса Шевченка

Жарких Юрій Серафімович

26.03.1942

Місце народження: м.Москва.
Науковий ступінь: доктор фізико-математичних наук.
Наукове звання: професор.
Остання займана посада: професор.

Закінчив 1964 радіофізичний факультет Київ. ун-ту , 1971 - асп-ру цього ун-ту. З 1965 працює на радіофізичному ф-ті: спочатку мол. наук. співроб., 1968-72 - старш. наук. співроб., 1972-79 - старш. виклад., 1979-88 - доц. каф. фізики напівпровідників. З 1988 - проф. каф. електрофізики. Захистив 1971 канд. дис. “Исследования процессов переноса в поверхностных каналах полупроводников”, 1986 - докт. дис. “Перенос и рассеяния носителей заряда в поверхностных каналах полупроводников”. Наук. діяльність присвячена дослідженням фізики поверхневих явищ в напівпровідниках та макроскопічних квантових ефектів у напівпровідникових двовимірних структурах. Прикладні дослідження спрямовані на вирішення фізичних проблем мікроелектроніки. Зокрема, на створення надшвидкодіючих активних напівпровідникових приладів. Читав лекції для студентів по спецкурсах “Технологія напівпровідників, “Фізика поверхні напівпровідників”, “Мікроелектроніка”, курс заг. фізики “Механіка”. Створив практикум “Технологія напівпровідників”, проводив заняття у практикумах “Фізика напівпровідників”, “Напівпровідникові прилади”, “Електрика”, “Механіка”. Входить до складу наук. коорд. ради НАНУ з фізики поверхні та мікроелектроніки, а також – наук.-експерт. ради МОН України за фаховим напрямком “Радіотехніка та електроніка”. Працював у складі Експерт. Ради за напрямком “Фізика та астрономія” Державного фонду фундамент. досліджень. Входить до президії ради по комп’ютеризації навч. та наук. роботи в Київ. ун- ті. Займається розробкою проектів по розвитку комп. мереж та застосування дистанційного навчання на базі сучасних телекомунікаційних технологій. Керівник проекту Програми розвитку ООН. Автор більше 150 наук. праць, 12 посіб. та метод. розробок. Осн. праці: Минимальная подвижность носителей заряда, образующих двумерный газ // Письма в ЖЭТФ, 1982. Т. 35. №5 (в соавт.); Effect of Low Temperature Annealing Upon Electrophysical Parameters for Germanium Surfaces Cleaved in Liquid Helium // Surface Science, V. 177, 1986 ( in co-authorship); Effect of the weak form of adsorption on the Si surface charge // Applied Surface Science, 1998. 6 (in co-authorship); Программные средства для компьютерных технологий в образовании // Новий Колегіум, 2002. №1 (в соавт.); Synthesis of charged silica films of porous structure // Functional materials, 2008. Т. 15 №1 (in co-authorship).

Автор:

Карта місця народження: 
завантаження карти...

  • Останні зміни:
Повернутися до підрозділу >



Інститути, факультети

Коледжі, ліцеї

Загальноуніверси- тетські інституції

Адміністративні та фінансові підрозділи

Громадські об’єднання

Тематичні розділи