ЕНЦИКЛОПЕДІЯ
Київського національного університету імені Тараса Шевченка

Бузанева Євгенія Вікторівна

01.03.1937

Місце народження: м. Київ.
Науковий ступінь: доктор фізико-математичних наук.
Остання займана посада: провідний науковий співробітник.

Закінчила 1959 радіофізичний факультет Київ. ун-ту. Після закінчення ун-ту і до 2005 працювала в НДЛ на каф. фізики напівпровідників, де пройшла шлях від інж. до пров. наук. співроб. Захистила 1971 канд. дис. “Исследование и моделирование процесов в СВЧ диодах Шоттки” (наук. кер. проф. В.І.Стріха). В 1988 захистила докт. дис. “Электронные процессы в структурах металл-полупроводник с разными типами переходного слоя». Напрям наук. діяльності – дослідження електронної структури наноструктурованих напівпровідників, а також електричних та оптичних явищ у них, що пов’язані з розмірними ефектами. Експерим. досліджена залежність електронної структури від розмірів нанокристалів у Si для наноструктурованого шару Si. Розвинута нанотехнологія матеріалів, які побудовані з наноблоків ДНК/фулерен C60, ДНК/вуглецеві нанотрубки, ДНК/наноSi, ДНК/нанооксиди перехідних металів. В таких само-асамбльованих шарах визначено електронні і оптичні явища, які дозволяють створювати елементи пам’яті, перемикачі та сенсори випромінювання. Автор 1 та співавтор 2 монографій, понад 200 наук. публікацій, була редактором 2 книг NATO Series. Осн. праці: Микроструктуры интегральной электроники. М.,1990; Физические основы надежности контактов металл-полупроводник в интегральной электронике. М., 1987. (в соавт.); Полупроводниковые приборы с. барьером Шотки. М.,1974 (в соавт.); NATO ASI Series, Series E: Applied Sciences, 1995.Vol. 328 (in co-authorship).

Автор:

  • Останні зміни:
Повернутися до підрозділу >



Інститути, факультети

Коледжі, ліцеї

Загальноуніверси- тетські інституції

Адміністративні та фінансові підрозділи

Громадські об’єднання

Тематичні розділи