ЕНЦИКЛОПЕДІЯ
Київського національного університету імені Тараса Шевченка

Булавенко Сергій Юрійович

15.07.1975

Місце народження: м. Біла Церква Київ. обл..
Науковий ступінь: кандидат фізико-математичних наук.
Остання займана посада: асистент.

У 1998 закінчив радіофізичний факультет Київ. ун-ту, отримав ступінь магістра. В 2005 р. отримав другу вищу освіту в Інституті післядипломної освіти Київ. ун-ту за спец. «Фінанси».У 1999-2003 рр. працював на каф. кріогенної та мікроелектроніки радіофізичного ф-ту на посадах: мол. наук. співроб., асист. У 2002 р. захистив канд. дис. “Дослідження взаємодії вісмуту та водню з поверхнями Si(111) та Si(100) методом скануючої тунельної мікроскопії” (наук. кер. – доц.Мельник П.В.). Осн. напрями наук. досліджень: вивчав взаємодію вісмуту та водню з поверхнями Si(111) та Si(100) на атомному рівні з допомогою скануючої тунельної мікроскопії. Побудовав детальну схему фазових змін системи Bi/Si(111)7×7 та дослідив структуру кожної з фаз з атомною роздільною здатністю. Розробив нову методику із застосуванням Bi/W вістер в скануючому тунельному мікроскопові для дослідження раніше недоступних атомів в кутових ямах реконструкції Si(111)7×7. Дослідив початкову стадію адсорбції атомарного водню та його перерозподіл на поверхні при прогріві, включаючи його десорбцію з атомів в кутових ямах. Виявив, що атоми в кутових ямах вдвічі менше активні, ніж адатоми та залишкові атоми. Вивчив коадсорбцію вісмуту та водню на поверхні Si(111)7×7. Вперше знайшов існування вісмутових димерів в А-позиціях при початкових стадіях адсорбції вісмуту на поверхні Si(100)2×1 при кімнатній температурі. Дослідив рух А-, Б-димерів та їх взаємне перетворення. Знайшов існування нового, антифазного, типу вісмутових нанониток на поверхні Si(100)2×1 та вивчив природу дефектів в нанонитках. Автор 22 наук. праць. Осн. праці: Coadsorption of hydrogen and bismuth on the Si(111)7×7 // Surf. Sci., 2000. Vol.454-456 (in co-authorship); STM-images of the atoms in the corner holes on the Si(111)7×7 surface with bismuth-covered tips // Surf. Sci., 2000. Vol.469 (in co-authorship); STM investigation of the initial adsorption stage of Bi on Si(100)2×1 and Ge(100)2×1 surfaces // Surf. Sci., 2001. Vol.482 (in co-authorship); Investigation of hydrogen interaction with the Si(1 1 1)-7×7 surface by STM with Bi/W tips// Surf. Sci. 2006. Vol.600 (in co-authorship).

Автор:

Карта місця народження: 
завантаження карти...

  • Останні зміни:
Повернутися до підрозділу >



Коментарі:

Текст повідомлення*
Захист від автоматичних повідомлень
 

Інститути, факультети

Коледжі, ліцеї

Загальноуніверси- тетські інституції

Адміністративні та фінансові підрозділи

Громадські об’єднання

Тематичні розділи