ЕНЦИКЛОПЕДІЯ
Київського національного університету імені Тараса Шевченка

Родіонова Тетяна Василівна

12.02.1953

Місце народження: м. Іваново, Росія.
Науковий ступінь: кандидат фізико-математичних наук.
Остання займана посада: старший науковий співробітник.

У 1975 закінчила радіофізичний факультет Київ. ун-ту, у 1986 закінчила спецф-т за спец. "Інтегральна та функціональна мікроелектронна техніка"Після закінчення працювала в НВО “Квант”, з 1978 - на каф. кріогенної та мікроелектроніки: старш. інж., мол. наук. співроб., наук., співроб, .старш. наук. співроб. (з 1991). Старш. наук. співроб. за спец. “Фізика напівпровідників та діелектриків”(2002). У 1988 захистила канд. дис. “Исследование строения и свойств поликристаллических пленок кремния и структур на их основе” (наук. кер. – проф. М.Г.Находкін). Осн. наяпрм наук. діяльності пов’язаний з дослідженнями структури матеріалів методами просвічуючої електрон. мікроскопії, електронографiї та рентгенографiї. До найбільш важливих досягнень можно віднести: вивчення механiзмів структурних перетворень у нелегованих полiкремнiйових плiвках при вiдпалюваннi; дослідження характеристик вторинного росту зерен в плівках при вiдпалюваннi; встановлення наявності щільно пакованої гексагональної модифікації кремнію, аналіз процесів двійникування в плівках полікремнію.Проводить лаб. роботи з курсу "Фіз. мiкроелектронiка". Під її кер. виконана велика кількість курсових та дипломних робіт. Відп. секретар "Вiсника Київського унiверситету. Серія радіофізика та електроніка", є чл. редколегії "Вiсника Київського унiверситету. Серія фізико-математичні науки”. До 175-річчя Київського національного університету імені Тараса Шевченка нагороджена Подякою Київського міського голови та Грамотою ректора КНУ імені Тараса Шевченка. Осн.праці: Formation of different types of polysilicon film structures and their grain growth under annealing // Phys. Stat. Sol.(a), 1991.V. 123, ¹ 2 (in co-athorship); Interface analysis in polysilicon thin films and poly-Si/SiO2 systems // Surface and Interface Analysis (SIA), 1992. V.18 (in co-athorship); The mechanism of secondary grain growth in polysilicon films // J. Cryst. Growth, 1997. V. 171, ¹ 1-2, (in co-athorship); Phase modifications in polysilicon films with fibrous and dendritic structure // Phase modifications in polysilicon films with fibrous and dendritic structure. (in co-athorship). Літ-ра: Радіофізичний факультет. 50 років: Довідник. К., 2002.

Автор:

Карта місця народження: 
завантаження карти...

  • Останні зміни:
Повернутися до підрозділу >



Інститути, факультети

Коледжі, ліцеї

Загальноуніверси- тетські інституції

Адміністративні та фінансові підрозділи

Громадські об’єднання

Тематичні розділи