ЕНЦИКЛОПЕДІЯ
Київського національного університету імені Тараса Шевченка


Нанофізики конденсованих середовищ кафедра Нанофізики конденсованих середовищ кафедра

На кафедрі працюють вісім викладачів (з них четверо докторів і четверо кандидатів фіз.-мат. наук), а також троє аспірантів. На кафедрі проводяться роботи із створення напівпровідникових гетероструктур, наноструктурованих напівпровідникових матеріалів, наночастинок в твердотільній матриці та рідинах, квантових точок, фотонних кристалів, пористих напівпровідників і діелектриків, аерогелів, нанотрубок, нанокераміки, високотемпературних надпровідників, органічних напівпровідників та досліджуються їх фізичні властивості. Роботи спрямовані на встановлення фундаментального зв’язку: хімічний склад - атомна структура - мікроструктура - макровластивості. Вивчається роль поверхні та розмірних ефектів у формуванні макровластивостей електричних, електронно-оптичних, люмінесцентних. Теоретично та експериментально досліджуються прилади спінтроніки, опто- та нано-електроніки: сонячні елементи, хімічні та газові сенсори, радіаційні сенсори, твердотільні джерела водню. Основні експериментальні методики включають електронну та атомно-силову мікроскопію, оптичну спектроскопію, інфрачервону Фур’є спектроскопію, фотолюмінесценцію, методи спінового резонансу, електрофізичні та фотоелектричні методи. Завідувач кафедрою проф. д. ф.-м. н. В. А. Скришевський. Наукові дослідження проводяться в кооперації з вченими Франції, Німеччини, Росії в рамках спільних наукових програм та грантів. Викладачі кафедри нанофізики конденсованих середовищ в рамках проекту TEMPUS впроваджують в інституті нову магістерську спеціалізацію Master of «Engineering in Microsystems Design». За час виконання проекту 2012-2015 в ІВТ будуть створені лабораторії з проектування та дослідження мікросистемних пристроїв. Викладачі кафедри читають такі курси: • Фізичні принципи сенсорики; • Комп’ютерне моделювання в природничих науках; • Наноматеріали та структури на їх основі, оптичні та квантові комп’ютери; • Твердотільна мікро- та нанотехнологія, деградація та надійність матеріалів та структур на їх основі; • Деградація та надійність; • Електрофізичні, хімічні та біологічні методи досліджень; • Цифрові технології у науковому експерименті; • Напівпровідникові сенсори; • Функціональні неорганічні матеріали; • Відновлювальні джерела енергії.

Вербицький Володимир Григорович

  • Останні зміни:
29.08.1952

Місце народження: не подано.
Науковий ступінь: доктор технічних наук.
Наукове звання: професор.
Закінчив радіофізичний факультет Київського національного університету ім. Т.Г. Шевченка у 1976 р. Розпочав трудову діяльність у науково-дослідному інституті мікроприладів. У 1988 році захистив кандидатську, у 2004 році – докторську дисертацію за спеціальністю «Твердотільна електроніка». Від грудня 1995 р. директор Державного підприємства «Науково-дослідний інститут мікроприладів» Міністерства промислової політики України. Від вересня 2004 р директор Державного підприємства «Науково-дослідний інститут мікроприладів» НТК «Інститут монокристалів» НАН України.

Читати далі >



Євтух Анатолій Антонович

  • Останні зміни:
04.03.1955

Місце народження: не подано.
Науковий ступінь: доктор фізіко-математичних наук.
Наукове звання: професор.
Закінчив електрофізичний факультет Львівського політехнічного інституту в 1977 р. Тривалий час працював в Науково-дослідному інституті Мікроприладів Київського виробничого об’єднання «Кристал» Міністерства електронної промисловості на інженерних посадах, посадах наукового співробітника та начальника лабораторії. В НДІ Мікроприладів займався розробкою технології виготовлення мікроелектронних напівпровідникових приладів та інтегральних схем і дослідженням фізичних процесів, що лежать в основі їх роботи. З 2002 року і по теперішній час працює в Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, зараз на посаді завідувача відділом.

Читати далі >



Іванов Іван Іванович

  • Останні зміни:
01.01.1977

Місце народження: м. Київ.
Остання займана посада: асистент.
2002 закінчив радіофізичний факультет Київ. ун-ту. Працює у Київ. ун-ті з 2003 на каф. напівпровідникової електроніки асистентом.

Читати далі >



Ільченко Володимир Васильович

  • Останні зміни:
15.02.1960

Місце народження: м. Дружківка, Донецьк. обл.
Науковий ступінь: кандидат фізико-математичних наук.
Наукове звання: доцент.
Остання займана посада: доцент.
Закінчив 1981 Київ. ун-т, 1984- асп. каф. фізики напівпровідників. У Київ. ун-ті: 1984-86 - мол. наук. співроб. НДЧ; 1987-91 асист., 1991-92 доц. каф. фізики напівпровідників; з 1992 - доц. каф. напівпровідникової електроніки.

Читати далі >



Опилат Віталій Якович

  • Останні зміни:
14.12.1959

Місце народження: с. Юшки, Ржищівського (тепер Кагарлицького) району Київської області.
Науковий ступінь: кандидат фізико-математичних наук.
Наукове звання: доцент.
1982 закінчив фізичний факультет Чернігівського державного педінституту ім. Т.Г. Шевченка. У 1984–1987 навчався в аспірантурі на кафедрі експериментальної  і теоретичної  фізики та астрономії Київського державного педагогічного інституту імені Горького. 1991 року захистив кандидатську дисертацію "Радіаційні дефекти в кристалах GaP і InP". З 1989 року старший викладач, а з 1995–2008 доцент на кафедрі загальнотехнічних дисциплін НПУ імені М.П. Драгоманова. З 2008 – докторант радіофізичного факультету Київського національного університету, 2010–2011 Інституту високих технологій КНУ. З 2011 – доцент кафедри нанофізики конденсованих середовищ інституту високих технологій КНУ імені Тараса Шевченка.

Читати далі >



Скришевський Валерій Антонович

  • Останні зміни:
08.12.1955

Місце народження: м. Київ.
Науковий ступінь: доктор фізико-математичних наук.
Наукове звання: професор.
Остання займана посада: професор.
1978 закінчив фізичний факультет Київ. ун-ту, 1981 - асп-ру каф. оптики фізичного факультету Київ. ун-ту. З 1981 працює на радіофізичному факультеті Київ. ун-ту на посадах мол. наук. співроб., наук. співроб., старш. наук. співроб., зав. сектора, зав. пробл. лаб., 2000 - доц., 2002 – проф. каф. напівпровідникової електроніки, з 2009 – зав. каф. нанофізики конденсованих середовищ Ін-ту високих технологій.

Читати далі >



Шкавро Анатолій Григорович

  • Останні зміни:
28.01.1953

Місце народження: м. Костопіль Рівнен. обл.
Науковий ступінь: кандидат фізико-математичних наук.
Наукове звання: доцент.
Остання займана посада: заступник завідуючого кафедрою.
1976 закінчив радіофізичний факультет Київ. ун-ту, каф. фізики напівпровідників, 1986 спец. факультет зі спец. “інтегральна та функціональна мікроелектронна техніка”. В Київ. ун-ті: 1976-78 стажист-дослідник, 1978-81 асп., 1981-86 мол. наук. співроб., 1986–90 асист., 1990 доц. каф. фізики напівпровідників, заст. зав. каф.

Читати далі >




Інститути, факультети

Коледжі, ліцеї

Загальноуніверси- тетські інституції

Адміністративні та фінансові підрозділи

Громадські об’єднання

Тематичні розділи