ЕНЦИКЛОПЕДІЯ
Київського національного університету імені Тараса Шевченка

Добровольський Валентин Миколайович

02.07.1933

Місце народження: м. Ленінград, тепер – Санкт-Петербург.
Науковий ступінь: доктор фізико-математичних наук.
Наукове звання: професор.
Остання займана посада: професор.

Закінчив 1956 каф. фізики напівпровідників Київ. ун-ту. Після закінчення ун-ту залишився працювати на каф., де пройшов шлях від асист. до проф. У 1962 захистив канд. дис. “Исследование некоторых явлений переноса носителей тока в электрическом и магнитном полях” (наук. кер. - проф. В.І.Ляшенко). В 1974 захистив докт. дис. “Перенос электронов и дырок в полупроводниковых системах с пространственно распределенными характеристиками ”. Зараз працює пров. наук. співроб. в Ін-ті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України. Осн. напрям наук. роботи – дослідження плазми напівпровідників, явища переносу електронів та дірок, мікро- та наноелектронні структури, розробка засобів збирання напівпровідникових приладів. Читав курси лекцій: ”Методи дослідження напівпровідників”, ”Плазма твердих тіл”, ”Явища переносу електронів”, ”Фізика низькорозмiрних систем”, ”Сучасні наукові напрямки радіофізики”, ”Квантово-розмірні структури”, окремі лекції з курсу ”Акт. проблеми радіофізики і електроніки”. Поставив лабор. роботи в практикумах з фізики напівпровідників та напівпровідникових приладів. Двічі Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки (1982, 1997), Лауреат премії ім. К.Д.Синельникова НАН України (1989), акад. (1993) та Лауреат Нагороди Ярослава Мудрого в галузі науки і техніки АН ВШ України (1995), Соросівський проф. (1997). Автор понад 190 наук., метод. праць та винаходів, 1 підручника та 2 монографій. Осн. праці: Surface electronic transport phenomena in semiconductors. Oxford, 1991 ( in co-authorship); The planar photomagnetic effect in SOI structure and magnetosensor based on it // Microelectronic Engineering, 1997.Vol. 36. № 1-4; Theory of magnetic-field-sensitive metal-oxide-semiconductor field-effect transistors // J. Appl. Phys., 1999. Vol. 85. № 3 ( in co-authorship); CONTUNT: Thin SOI Control Tunneling Transistor // Sol.-St. Electron., 2006. Vol. 50 (in co-authorship); Silicon-on-Insulator Control Impact-Ionization-Avalanche Transistor // Appl. Phys. Let., 2006. Vol. 88 (in co-authorship).

Автор:

Карта місця народження: 
завантаження карти...

  • Останні зміни:
Повернутися до підрозділу >



Інститути, факультети

Коледжі, ліцеї

Загальноуніверси- тетські інституції

Адміністративні та фінансові підрозділи

Громадські об’єднання

Тематичні розділи