ЕНЦИКЛОПЕДІЯ
Київського національного університету імені Тараса Шевченка

Холодар Галина Антонівна

29.09.1930- 11.09.2007

Місце народження: м. Київ.
Науковий ступінь: доктор фізико-математичних наук.
Наукове звання: професор.
Остання займана посада: професор.

1953 закінчила каф. фізики напівпровідників. В Київ. ун-ті: старш. лаб., асист., старш. викл., доц., проф. Захистила канд. дис. (1966), докт. дис. “Электрически активные собственные дефекты в неметаллических кристаллах” (1984). Наук. робота пов’язана з дослідженням дефектів різного типу в напівпровідниках. Було доведено, що крім електрон. та іонної електропровідності існує ще один вид електропровідності – власнодефектна, яка властива твердим тілам з деякою наявністю іонного типу зв’язку; вперше було показано, що дія слабкого лазерного опромінення (яке тільки збуджує електронну підсистему) призводить до утворення власних дефектів у твердих тілах. Читала курси лекцій: “Фізика напівпровідників”, “Фізика твердого тіла” (для спеціалізації “Фізична електроніка”), “Технологія напівпровідникових матеріалів та приладів”, “Радіаційна фізика напівпровідників”, “Статистика електронів та дефектів в напівпровідниках”. Велику увагу приділяла метод. роботі на кафедрі, була чл. метод. комісії ф-ту, багато років була відповідальною за практикум з технології напівпровідників та напівпровідникових приладів. Наук. кер. 2 канд. наук. Лауреат Держ. премії України в галузі науки і техніки (1987). Багаторазовий чемпіон Київ. ун-ту з худож. гімнастики, чл. збірної УРСР, чемпіон СРСР в спорт. Тов-ві “Наука” (1955). Автор і співавтор понад 100 наук. праць, 3 монографій, та 2 учбов. посіб., має 8 авт. свідоцтв. Осн. праці: Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках. К., 1969 ( в соавт.); Радиационная фізика полупроводников. К., 1979 (в соавт.); Quasichemical reactions involving point defects in irradiated semiconductors // Phys / Radiat. Eff. Cryst. Amsterdam ea., 1986 (in co-authorship); Elektrical properties of silicon with divacancies // Phys. status solidi (a), 1975. 30 (in co-authorship); Образование точечных дефектов в кремнии под действием лазерного импульса подпороговой интенсивности // Труды Межд. конф. по радиационной физике полупроводников и родственных материалов. Тбилиси, 1979 (в соавт.).

Автор:

  • Останні зміни:
Повернутися до підрозділу >



Інститути, факультети

Коледжі, ліцеї

Загальноуніверси- тетські інституції

Адміністративні та фінансові підрозділи

Громадські об’єднання

Тематичні розділи