ЕНЦИКЛОПЕДІЯ
Київського національного університету імені Тараса Шевченка

Лашкарьов Вадим Євгенович

07.10.1903- 01.12.1974

Місце народження: м. Київ.
Науковий ступінь: доктор фізико-математичних наук.
Наукове звання: професор.
Остання займана посада: завідуючий кафедрою (1952 - 1956).

1924 закінчив Київ. ІНО. 1924-1927 – асп., виклад. Київ. наук.-досл. кафедри фізики. 1925 разом з В.П. Лінником розробив оригінальний метод визначення коефіцієнта заломлення рентгенівських променів. Брав участь у створенні Ін-ту фізики АН України. За запрошенням акад. А.Ф Йоффе 1930-35 керував лаб. Ленінград. фіз.-техн. ін-ту. У 1931 очолив відділ рентгенівської і електронної оптики, 1933 – лаб. дифракції електронів. Одержав піонерські результати про розподіл у кристалах електрон. густини, які узагальнив у монографії “Дифракция электронов”. 1935 за ці дослідження присуджено вчен. ступінь д-ра фіз.-мат. наук без захисту дис. З 1939 наук. і пед. діяльність пов’язана з фізикою напівпровідників, АН України та Київ. ун-том. 1939-60 – кер. відділу напівпровідників Ін-ту фізики АН України, 1960-1970 – дир. створеного на його базі Ін-ту напівпровідників. 1945 обраний акад. АН України, 1946-48 – голова відділу АН України. 1944-52 – зав. каф. фізики Київ. ун-ту, а 1952 – створює першу в СРСР каф. фізики напівпровідників, яку очолює до 1956. Отримано принципові для фізики напівпровідників результати. Запропоновано метод термозонду, за допомогою якого виявлено p-n перехід у випрямлячах на закису міді (1941), виявлено біполярну дифузію і дрейф електронів і дірок (1946). Ним побудована загальна теорія фотоЕРС у напівпровідниках (1948), відкрита інфрачервона люмінесценція закису міді, надлінійна фотопровідність сурм'янистого кадмію, виявлена об'ємна фотоЕРС у германії (1956). У 1948 розпочато піонерські дослідження поверхневих явищ у напівпровідниках. Вивчено зміну поверхневої провідності і контактної різниці потенціалів при адсорбції на поверхні молекул газів. Виведене співвідношення, що зв'язує їх з поверхневим вигином зон і зарядом. У зв'язку з розвитком напівпровідникової електроніки у 1950 в Ін-ті напівпровідників і на каф. напівпровідників ун-ту під його кер. почалися дослідж. властивостей германію - у той час одного з осн. матеріалів електроніки. У 1948-70 ним і його співробітниками було виконано фундамент. і багатогранні дослідж. фотоелектричних явищ у напівпровідниках: механізмів генерації і рекомбінації носіїв заряду, фотолюмінесценції, взаємодії напівпровідників із потоками іонізуючих частинок. Удосконалено створені раніше сірчано-срібні елементи, розроблено фоторезистор на основі сульфіду, а також селеніду кадмію і створено (1954) перші в країні монокристалічні резистори. Засновник (1956) і гол. редактор “Українського фізичного журналу”. Осн. праці: Исследование запирающих слоев методом термозонда //Известия АН СССР. Сер.физ., 1941. Т.5; Влияние примесей на вентильный фотоэффект в закиси меди // Известия АН СССР. Сер.физ., 1941.Т. 5 ( в соавт.). Літ-ра: Лашкарьов Г. В. Вадим Євгенович Лашкарьов та його P-N перехід: (До сторіччя з дня народження) / Г.В. Лашкарьов, Д.Ю. Сигаловський // Країна знань, 2003. N8 (12).

Автор:

Карта місця народження: 
завантаження карти...

  • Останні зміни:
Повернутися до підрозділу >



Інститути, факультети

Коледжі, ліцеї

Загальноуніверси- тетські інституції

Адміністративні та фінансові підрозділи

Громадські об’єднання

Тематичні розділи