ЕНЦИКЛОПЕДІЯ
Київського національного університету імені Тараса Шевченка

Панічевська Вілена Іванівна

09.12.1939

Місце народження: м. Красноярськ, Росія.
Науковий ступінь: кандидат фізико-математичних наук.
Остання займана посада: старший науковий співробітник.

1963 закінчила радіофізичний факультет Київ. ун-ту, працювала у Київ. механічному техн. У Київ. ун-ті з 1963: від інженера до старш. наук. співроб. лаб. фізики і техніки напівпровідників. 1975 захистила канд. дис. З березня 1981 працювала старш. наук. співроб. НДЧ Київ. ун-ту. Разом з проф. В.І. Стріхою розробила методику дослідження спектрів поверхневих станів в контакті метал-напівпровідник з бар’єром Шоткі. З 1986 була кер. наук. тем з дослідження силових діодів з бар’єром Шоткі. Авторо більше 60 наук. робіт, має 6 авт. свідоцтв. Осн. праці: Спектр поверхностных состояний и механизм прохождения заряда в контактах метал-кремний p-типа // Радиотехника и электроника, 1973. №4 (в соавт.); О роли поверхностных состояний в переносе тока через бартер Шоттки на кремнии // Радиотехника и электроника, 1973. Т.19. №7 (в соавт.); Влияние легирования поверхности кремния металлами на спектр поверхностных состояний и перенос тока в контактах метал-полупроводник с бартером Шоттки //ФТП, 1974. Т.8. Вып. 8 (в соавт.); Спектр поверхностных состояний и механизм переноса тока в напыленных контактах металл-кремний с барьером Шоттки // Полупроводниковая техника и микроэлектроника, 1977. Вып. 26 ( в соавт.).

Автор:

Карта місця народження: 
завантаження карти...

  • Останні зміни:
Повернутися до підрозділу >



Інститути, факультети

Коледжі, ліцеї

Загальноуніверси- тетські інституції

Адміністративні та фінансові підрозділи

Громадські об’єднання

Тематичні розділи