ЕНЦИКЛОПЕДІЯ
Київського національного університету імені Тараса Шевченка

Шкавро Анатолій Григорович

28.01.1953

Місце народження: м. Костопіль Рівнен. обл..
Науковий ступінь: кандидат фізико-математичних наук.
Наукове звання: доцент.
Остання займана посада: заступник завідуючого кафедрою.

1976 закінчив радіофізичний факультет Київ. ун-ту, каф. фізики напівпровідників, 1986 спец. факультет зі спец. “інтегральна та функціональна мікроелектронна техніка”. В Київ. ун-ті: 1976-78 стажист-дослідник, 1978-81 асп., 1981-86 мол. наук. співроб., 1986–90 асист., 1990 доц. каф. фізики напівпровідників, заст. зав. каф. 1985 захистив канд. дис.“Исследование физических основ надежности контактов алюминий-кремний с барьером Шоттки” (наук. кер. проф. В.І.Стріха). Вчене звання доц. присвоєно у 1992. Осн. напрями наук. досліджень – формування, робота та деградація напівпровідникових структур з бар’єром Шоткі, флуктуаційні явища в напівпровідниках та напівпровідникових структурах, органічні напівпровідники. Читав та читає такі лекц. курси: “Фізика напівпровідників”, “Методи дослідження напівпровідників”, “Основи напівпровідникової електроніки”, “Статист. радіофізика”, “Напівпровідникова електроніка”, “Фіз. основи мікроелектроніки”, “Фіз. основи надійності напівпровідникових приладів та інтегральних схем”, “Мікропроцесорна техніка”, “ЕОМ експеримент та машинна обробка інформації” та ін. Організував практикуми з машинного моделювання (разом з Ільченко В.В.), з мікропроцесорної техніки, з автоматизації експериментальних досліджень. На сьогодні є відповідальним за практикум з фізики напівпровідникових приладів. Вчен. секретар спец. вч. рад К 068.18.01 (1990-1995), Д 26.001.31 (1996–2004) (спеціальності: радіофізика, фізика плазми, фізика напівпровідників та діелектриків), з 1997- вч. секретар секції Комітету з Держ. премій України в галузі науки і техніки. Співавтор понад 50 наук. праць та 4 посіб. Осн. праці: Практичні рекомендації до проведення вимірювань у фізиці напівпровідників. Загальні методи боротьби із завадами та наведеннями. Навч. посіб. К., 2002 (у співав.); Практикум з фізики напівпровідникових приладів. К., 2007; Определение параметров p+-слоя в контактах Al-p+-слой-Si // Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки. К., 1979 (у співав.); Aging and degradation of structures aluminium - silicon with a Schottky barrier after a pulsing laser exposure // Functional Materials 2003.10. №3 (in co-authershup). Літ-ра: Радіофізичний факультет. 50 років: Довідник. К, 2002.

Автор: В.А. Скришевський

Карта місця народження: 
завантаження карти...

  • Останні зміни:
Повернутися до підрозділу >



Коментарі:

Текст повідомлення*
Захист від автоматичних повідомлень
 

Інститути, факультети

Коледжі, ліцеї

Загальноуніверси- тетські інституції

Адміністративні та фінансові підрозділи

Громадські об’єднання

Тематичні розділи