ЕНЦИКЛОПЕДІЯ
Київського національного університету імені Тараса Шевченка

Даценко Олександр Іванович

26.07.1971

Місце народження: м. Київ.
Науковий ступінь: кандидат фізико-математичних наук.
Остання займана посада: старший науковий співробітник.

У 1994 закінчив фізичний факультет Київ. ун-ту. Наук.співроб. каф. оптики фізичного факультету Київ. ун-ту. 1999 захистив канд. дис. “Формування шарів поруватого кремнію з високим квантовим виходом фотолюмінесценції”. Осн. напрям наук. діяльності - дослідження люмінесцент. властивостей напівпровідників. Осн. праці: Effect of substrate defects on the luminescent properties of porous silicon layers // Frontiers in Nanoscale Science of Micron/Submicron Devices", 1996; Effect of boron diffusion doping of silicon on the micromechanical and luminescence properties of porous layers // Thin Solid Films, 1998; Evolution of the porous silicon sample properties in the atmospheric ambient // J.Luminescence, 1999; Evidence for photochemical transformations in porous silicon // Semicond. Phys. Quantum Electronics & Optoelectronics, 1999.

Автор:

Карта місця народження: 
завантаження карти...

  • Останні зміни:
Повернутися до підрозділу >



Інститути, факультети

Коледжі, ліцеї

Загальноуніверси- тетські інституції

Адміністративні та фінансові підрозділи

Громадські об’єднання

Тематичні розділи